Технічні специфікації:
Бренд Micron DDR4 виробляється на заводах Micron по всьому світу, включаючи Вірджинію, Японію та Тайвань.
Обьєм оперативної памьяті 1x – 4 ГБ.
Тип оперативної памьяті PC4-19200 DDR4 SDRAM.
Швидкість оперативної памьяті 2400 МГц.
Модуль пам’яті: 2400MT/s 38-38-38.
Напруга живлення: 1,2 В – 1.2 V.
Ємність: Одиночна модуль: 4 ГБ.
Схема таймінгів: CL38.
Робоча температура: -40 C до +95 C, 0 C до +95 °C.
Габарити: 69,6 мм x 30 мм.
| Висота (поперечна) 30 мм.
– загальна Довжина плати 70 мм.
Ø Діагональ 75 мм.
,,, кількість Pin: 72 контактів -розділовий ключ- 58 контактів х2 контактів 130.
Мікропроцесорів памьяті 4.
Радіатори охолодження немає.
Колір – Чорний.
По Одному отвору для затискання фіксаторів плати з обох боків.
– DDR4 додав кілька нових функцій енергозбереження порівняно з DDR3, зокрема: 1. Знижена потужність драйверів псевдовідкритого стоку для контактів DQ. 2. Додатковий режим вимкнення вхідного буфера ODT для функції вимкнення живлення. 3. Додаткова функція режиму максимального енергозбереження. 4. Додаткова затримка адреси команди (CAL).
– DDR4 підтримує режим вимкнення DLL, подібний до режиму вимкнення DLL у DDR3, до 125 МГц.
– DDR4 тепер має тестовий режим підключення, щоб спростити тестування за допомогою контролера з підтримкою граничного сканування. Розроблений для роботи з пристроєм граничного сканування, режим КТ підтримується всіма пристроями Micron 4/8/16 Гб (хоча JEDEC вимагає лише для x16). Модель CT дозволяє пристрою граничного сканування завантажувати та зчитувати шаблон із DDR4 у режимі CT. DDR4 безпосередньо не підтримує IEEE 1149.1.
– DDR4 зберегла 8-бітну попередню вибірку, яка використовувалася DDR3; таким чином, BL8 все ще підтримується.
– блок DDR4 відрізняється від блоку DDR3. Однак DDR4 використовує ті самі розміри упаковки та крок pins/кулі, що й DDR3.
– для DDR3 потрібні VDD і VDDQ, що дорівнює 1,5 В, VREFCA, що дорівнює 0,5 x VDD, і VREFDQ, що дорівнює 0,5 x VDDQ, тоді як DDR4 вимагає VDD і VDDQ, що дорівнює 1,2 В, VREFCA, що дорівнює 0,5 x VDD, і VPP, що дорівнює 2,5 V.
– DDR4 все ще використовує кінцеву насадку VTT на шині даних для гарної якості сигналу, однак вона використовує драйвери псевдовідкритого стоку для меншого струму перемикання порівняно з повними драйверами двотактного типу.
– для DDR4 не потрібен зовнішній VREFDQ, але він надає внутрішньо згенерований VREFDQ, який вимагає калібрування контролером DRAM.
– DDR4 має зворотну сумісність ще з DDR3-1333.
Для систем, які не потребують збільшення швидкості вище DDR3-1333 і DDR3-1600, DDR4 може підтримувати ці вимоги до повільної пропускної здатності зі значно меншими вимогами до потужності.
ФУНКЦІЇ/ОПЦІЇ/ТЕХНОЛОГІЇ DDR4:
Напруга (ядро та вхід/вихід) 1,2 В./V.
ПЕРЕВАГА – зменшує споживання енергії пам’яті.
Входи VREF 1 – CMD/ADDR – VREFDQ тепер внутрішній.
Стандарт низької напруги! немає – зниження потужності пам’яті.
Швидкість передачі даних (Мб/с) 1600Мгц/1866Мгц/2133Мгц/2400Мгц/2666Мгц/3200Mhz – Перехід до високошвидкісного введення-виведення.
Щільності 2 Гб–16 Гб. – Кращі можливості для підсистем пам’яті великої ємності.
Внутрішні банки 16. – Більше банків.
Банківські групи (BG) 4. – Швидший пакетний доступ.
tCK – DLL увімкнено 667 МГц до 1,6 ГГц. – Більш висока швидкість передачі даних.
t CK – DLL вимкнено Невизначено до 125 МГц.
DDR4 – DLL-off тепер повністю підтримується.
Затримка читання AL + CL. – Розширені значення.
Затримка запису AL + CWL. – Розширені значення.
Драйвер DQ (ALT) 48 Ом. – Оптимізовано для додатків PtP (точка-точка).
Автобус DQ POD12 – Зменшення шуму вводу-виводу та живлення.
Значення RTT (в Ω Ом) 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 – Підтримка вищої швидкості передачі даних.
RTT заборонено!
Вимикається під час пакетів READ – Простота використання.
Режими ODT Іменний, динамічний, парковий – Додатковий режим управління; підтримує зміну значення OTF.
Контроль ОДТ Сигналізація ODT не потрібна.
